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MRF8P18265HSR6

MRF8P18265HSR6

僅供參考

型號 MRF8P18265HSR6
PNEDA編號 MRF8P18265HSR6
描述 FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8P18265HSR6資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8P18265HSR6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
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MRF8P18265HSR6規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率1.88GHz
增益16dB
電壓-測試30V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試800mA
功率-輸出72W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-1110B
供應商設備包裝NI1230S-8

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噪聲系數

-

當前-測試

500mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-400

供應商設備包裝

NI-400

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

-

頻率

-

增益

-

電壓-測試

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晶體管類型

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增益

22dB

電壓-測試

9V

額定電流(安培)

25mA

噪聲系數

1.4dB

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

12V

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供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

2.69GHz

增益

15.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

200mA

功率-輸出

22W

電壓-額定

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供應商設備包裝

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