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MRF8P20100HR3

MRF8P20100HR3

僅供參考

型號 MRF8P20100HR3
PNEDA編號 MRF8P20100HR3
描述 FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8P20100HR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8P20100HR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF8P20100HR3, MRF8P20100HR3數據表 (總頁數: 22, 大小: 1,275.51 KB)
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MRF8P20100HR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率2.03GHz
增益16dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試400mA
功率-輸出20W
電壓-額定65V
包裝/箱NI780-4
供應商設備包裝NI-780-4

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噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.99GHz

增益

15dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1A

功率-輸出

19W

電壓-額定

68V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

NI-780H-2L

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.16GHz

增益

16dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

11.5W

電壓-額定

68V

包裝/箱

NI-400

供應商設備包裝

NI-400

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.17GHz

增益

17dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

34A

噪聲系數

-

當前-測試

1.1A

功率-輸出

30W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT502B

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制造商

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系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

870MHz

增益

17dB

電壓-測試

13.6V

額定電流(安培)

2A

噪聲系數

-

當前-測試

200mA

功率-輸出

5W

電壓-額定

40V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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