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MRF8S21200HR6

MRF8S21200HR6

僅供參考

型號 MRF8S21200HR6
PNEDA編號 MRF8S21200HR6
描述 FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,038
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8S21200HR6資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8S21200HR6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF8S21200HR6, MRF8S21200HR6數據表 (總頁數: 14, 大小: 630.97 KB)
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MRF8S21200HR6規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率2.14GHz
增益18.1dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.4A
功率-輸出48W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-1230
供應商設備包裝NI-1230

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噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

8W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-400-240

供應商設備包裝

NI-400-240

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.5GHz

增益

14.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

700mA

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

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電壓-測試

50V

額定電流(安培)

18A

噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

130W

電壓-額定

100V

包裝/箱

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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增益

18.3dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

700mA

功率-輸出

24W

電壓-額定

65V

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