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MRF8VP13350NR3

MRF8VP13350NR3

僅供參考

型號 MRF8VP13350NR3
PNEDA編號 MRF8VP13350NR3
描述 TRANS RF LDMOS 350W 50V
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 14 - 三月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8VP13350NR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8VP13350NR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF8VP13350NR3, MRF8VP13350NR3數據表 (總頁數: 23, 大小: 739.38 KB)
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MRF8VP13350NR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率1.3GHz
增益19.2dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試100mA
功率-輸出350W
電壓-額定100V
包裝/箱OM780-4
供應商設備包裝OM780-4

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噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

2W

電壓-額定

75V

包裝/箱

SOT-538A

供應商設備包裝

2-CSMD

制造商

NXP USA Inc.

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增益

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電壓-測試

30V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

1.6A

功率-輸出

74W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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制造商

Ampleon USA Inc.

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額定電流(安培)

-

噪聲系數

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當前-測試

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功率-輸出

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晶體管類型

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電壓-測試

2V

額定電流(安培)

120mA

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0.6dB

當前-測試

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