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MRFE6S8046NR1

MRFE6S8046NR1

僅供參考

型號 MRFE6S8046NR1
PNEDA編號 MRFE6S8046NR1
描述 FET RF 66V 894MHZ TO-270-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6S8046NR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6S8046NR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRFE6S8046NR1, MRFE6S8046NR1數據表 (總頁數: 17, 大小: 500.74 KB)
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MRFE6S8046NR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率894MHz
增益19.8dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試300mA
功率-輸出35.5W
電壓-額定66V
包裝/箱TO-270AB
供應商設備包裝TO-270 WB-4

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噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

30V

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

220MHz

增益

25.5dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

900mA

功率-輸出

300W

電壓-額定

110V

包裝/箱

TO-270AB

供應商設備包裝

TO-270 WB-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

N-Channel Dual Gate

頻率

200MHz

增益

-

電壓-測試

5V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

1dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

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電壓-額定

7V

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.5GHz

增益

16.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

1µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.5A

功率-輸出

150W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads

供應商設備包裝

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晶體管類型

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頻率

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增益

19.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

700mA

功率-輸出

120W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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