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MRFE6S9160HR5

MRFE6S9160HR5

僅供參考

型號 MRFE6S9160HR5
PNEDA編號 MRFE6S9160HR5
描述 FET RF 66V 880MHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,790
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 18 - 四月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6S9160HR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6S9160HR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRFE6S9160HR5, MRFE6S9160HR5數據表 (總頁數: 13, 大小: 543.59 KB)
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MRFE6S9160HR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率880MHz
增益21dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.2A
功率-輸出35W
電壓-額定66V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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噪聲系數

-

當前-測試

150mA

功率-輸出

1000W

電壓-額定

110V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-1230

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.88GHz

增益

16dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.2A

功率-輸出

29W

電壓-額定

68V

包裝/箱

NI-880

供應商設備包裝

NI-880

制造商

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頻率

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增益

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電壓-測試

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額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1A

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電壓-額定

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頻率

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增益

17.8dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.2A

功率-輸出

400W

電壓-額定

70V

包裝/箱

OM-1230-4L2S

供應商設備包裝

OM-1230-4L2S

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增益

18.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

64A

噪聲系數

-

當前-測試

1.41A

功率-輸出

60W

電壓-額定

65V

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