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MRFE6VP61K25GNR6

MRFE6VP61K25GNR6

僅供參考

型號 MRFE6VP61K25GNR6
PNEDA編號 MRFE6VP61K25GNR6
描述 TRANS RF LDMOS 1250W 50V
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6VP61K25GNR6資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6VP61K25GNR6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
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MRFE6VP61K25GNR6規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率230MHz
增益23dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試100mA
功率-輸出1250W
電壓-額定133V
包裝/箱OM-1230G-4L
供應商設備包裝OM-1230G-4L

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噪聲系數

-

當前-測試

1.35A

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44W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

NI-780H-2L

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NXP USA Inc.

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28V

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噪聲系數

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制造商

ON Semiconductor

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頻率

100MHz

增益

16dB

電壓-測試

10V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

-

當前-測試

10mA

功率-輸出

-

電壓-額定

25V

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

HEMT

頻率

1.8GHz ~ 2.2GHz

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

32W

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48V

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