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MS1030DE

MS1030DE

僅供參考

型號 MS1030DE
PNEDA編號 MS1030DE
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MS1030DE資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MS1030DE
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MS1030DE規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 20mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

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制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz

增益

6.5dB ~ 11dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

13dB

功率-最大

233W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 10A, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

17dB

功率-最大

50mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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