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MS652S

MS652S

僅供參考

型號 MS652S
PNEDA編號 MS652S
描述 RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,668
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MS652S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MS652S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MS652S規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)16V
頻率-過渡450MHz ~ 512MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益10dB
功率-最大25W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 200mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱M123
供應商設備包裝M123

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

增益

10dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 15mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

增益

12.5dB ~ 14.5dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

32mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-363

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

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晶體管類型

5 PNP

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

11.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

-

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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制造商

Infineon Technologies

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

增益

23dB

功率-最大

75mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 4V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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