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MSB710-RT1

MSB710-RT1

僅供參考

型號 MSB710-RT1
PNEDA編號 MSB710-RT1
描述 TRANS PNP 50V 0.5A SC-59
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSB710-RT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSB710-RT1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MSB710-RT1, MSB710-RT1數據表 (總頁數: 2, 大小: 41.18 KB)
PDFMSB710-RT1G數據表 封面
MSB710-RT1G數據表 頁面 2

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MSB710-RT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 150mA, 10V
功率-最大200mW
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SC-59

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 400mA, 1V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

220MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 200mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 270mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

230MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 5mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 25mA, 20V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 3A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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