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MSB92ASWT1

MSB92ASWT1

僅供參考

型號 MSB92ASWT1
PNEDA編號 MSB92ASWT1
描述 TRANS PNP 300V 0.5A SOT323
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,518
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSB92ASWT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSB92ASWT1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MSB92ASWT1, MSB92ASWT1數據表 (總頁數: 5, 大小: 57.84 KB)
PDFMSB92ASWT1數據表 封面
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MSB92ASWT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止(最大值)250nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 10V
功率-最大150mW
頻率-過渡50MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70-3 (SOT323)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 10A, 4V

功率-最大

130W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

180V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 25mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

100MHz

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安裝類型

Surface Mount

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 1mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

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制造商

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

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工作溫度

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