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MSC015SMA070B

MSC015SMA070B

僅供參考

型號 MSC015SMA070B
PNEDA編號 MSC015SMA070B
描述 GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM TO-2
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,432
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 6 - 一月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSC015SMA070B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSC015SMA070B
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
MSC015SMA070B, MSC015SMA070B數據表 (總頁數: 12, 大小: 3,798.21 KB)
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MSC015SMA070B規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)131A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)20V
Rds On(Max)@ Id,Vgs19mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs215nC @ 20V
Vgs(最大)+25V, -10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4500pF @ 700V
FET功能-
功耗(最大值)400W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

83A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

330W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-

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