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MSC1175M

MSC1175M

僅供參考

型號 MSC1175M
PNEDA編號 MSC1175M
描述 RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSC1175M資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSC1175M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MSC1175M規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)65V
頻率-過渡1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益8dB
功率-最大400W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 1A, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)12A
工作溫度250°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱M218
供應商設備包裝M218

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

-

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

增益

8.3dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-92-3

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Infineon Technologies

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

9V

頻率-過渡

14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

增益

12.5dB

功率-最大

380mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 40mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-75, SOT-416

供應商設備包裝

PG-SC-75

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

增益

10dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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