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MSC2295-BT1G

MSC2295-BT1G

僅供參考

型號 MSC2295-BT1G
PNEDA編號 MSC2295-BT1G
描述 RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSC2295-BT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSC2295-BT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MSC2295-BT1G, MSC2295-BT1G數據表 (總頁數: 2, 大小: 41.1 KB)
PDFMSC2295-CT1G數據表 封面
MSC2295-CT1G數據表 頁面 2

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MSC2295-BT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡150MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 1mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SC-59

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

14dB

功率-最大

233W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

18 @ 1.4A, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

42GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

27.5dB

功率-最大

160mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 25mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

4-TSFP

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

增益

13dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

19dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 15mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

增益

13.5dB ~ 23.5dB

功率-最大

136mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 1mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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