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MSC280SMA120S

MSC280SMA120S

僅供參考

型號 MSC280SMA120S
PNEDA編號 MSC280SMA120S
描述 GEN2 SIC MOSFET 1200V 280MOHM D3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSC280SMA120S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSC280SMA120S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
MSC280SMA120S, MSC280SMA120S數據表 (總頁數: 12, 大小: 3,798.21 KB)
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MSC280SMA120S規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓(Vdss)1.2kV
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D3Pak
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3740pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.85Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

602pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

92.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

460mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 280µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.8V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

96W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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