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MSC80205

MSC80205

僅供參考

型號 MSC80205
PNEDA編號 MSC80205
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSC80205資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSC80205
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MSC80205規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

增益

11dB ~ 13dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

7.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

9dB ~ 14.5dB

功率-最大

800mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

STMicroelectronics

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

14dB

功率-最大

233W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

18 @ 1.4A, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

12dB ~ 18dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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