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MSE1PG-M3/89A

MSE1PG-M3/89A

僅供參考

型號 MSE1PG-M3/89A
PNEDA編號 MSE1PG-M3-89A
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A MICROSMP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 1,292,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSE1PG-M3/89A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSE1PG-M3/89A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MSE1PG-M3/89A, MSE1PG-M3/89A數據表 (總頁數: 5, 大小: 104.59 KB)
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MSE1PG-M3/89A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)780ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 400V
電容@ Vr,F5pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱MicroSMP
供應商設備包裝MicroSMP (DO-219AD)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

62pF @ 4V, 1MHz

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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