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MSRT10060(A)D

MSRT10060(A)D

僅供參考

型號 MSRT10060(A)D
PNEDA編號 MSRT10060-A-D
描述 DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,518
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSRT10060(A)D資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSRT10060(A)D
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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MSRT10060(A)D規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Series Connection
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 100A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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1200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1200V

工作溫度-結點

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.39V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

67ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 400V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

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工作溫度-結點

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