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MSS1P2LHM3_A/H

MSS1P2LHM3_A/H

僅供參考

型號 MSS1P2LHM3_A/H
PNEDA編號 MSS1P2LHM3_A-H
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,150
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSS1P2LHM3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSS1P2LHM3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MSS1P2LHM3_A/H, MSS1P2LHM3_A/H數據表 (總頁數: 4, 大小: 103.18 KB)
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MSS1P2LHM3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr250µA @ 20V
電容@ Vr,F65pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AD
供應商設備包裝MicroSMP (DO-219AD)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 6A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

110µA @ 650V

電容@ Vr,F

190pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.97V @ 50A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

27µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

360mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 30V

電容@ Vr,F

470pF @ 1V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

25pF @ 10V, 1MHz

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 400V

電容@ Vr,F

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