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MSS1P3LHM3_A/H

MSS1P3LHM3_A/H

僅供參考

型號 MSS1P3LHM3_A/H
PNEDA編號 MSS1P3LHM3_A-H
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 1A MICROSMP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 37,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSS1P3LHM3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSS1P3LHM3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MSS1P3LHM3_A/H, MSS1P3LHM3_A/H數據表 (總頁數: 4, 大小: 103.18 KB)
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MSS1P3LHM3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr250µA @ 30V
電容@ Vr,F65pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AD
供應商設備包裝MicroSMP (DO-219AD)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

95ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 520V

電容@ Vr,F

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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