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MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR

MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR

僅供參考

型號 MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR
PNEDA編號 MT29C1G12MAADAFAMD-6-E-IT-TR
描述 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR
類別半導體內存IC內存

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MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH, RAM
技術FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
內存大小1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱130-VFBGA
供應商設備包裝130-VFBGA (8x9)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

130-VFBGA

供應商設備包裝

130-VFBGA (8x9)

S29GL01GP11TFIR10D

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

GL-P

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

56-TSOP

BR25H640F-2ACE2

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q100

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

CY14B256K-SP45XC

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

48-SSOP

MT47H128M8CF-3 AAT:H TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-TFBGA

供應商設備包裝

60-FBGA (8x10)

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