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MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR

MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR

僅供參考

型號 MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR
PNEDA編號 MT29C4G96MAYBACKD-5-WT-TR
描述 IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR, MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR數據表 (總頁數: 220, 大小: 1,952.51 KB)
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MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH, RAM
技術FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
內存大小4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱137-TFBGA
供應商設備包裝137-TFBGA (10.5x13)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

288Mb (8M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (1K x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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