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MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

僅供參考

型號 MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR
PNEDA編號 MT29E1T08CMHBBJ4-3ES-B-TR
描述 IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,256
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 16 - 四月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Tb (128G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (512 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

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0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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技術

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內存大小

32Gb (4G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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