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MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR

MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR

僅供參考

型號 MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR
PNEDA編號 MT29E1T08CUCCBH8-6-C-TR
描述 IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR
類別半導體內存IC內存

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MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Tb (128G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱152-LBGA
供應商設備包裝152-LBGA (14x18)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (4K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-LCC (J-Lead)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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10µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

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安裝類型

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Renesas Electronics America Inc.

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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工作溫度

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供應商設備包裝

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

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