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MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

僅供參考

型號 MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
PNEDA編號 MT29E1T208ECHBBJ4-3ES-B-TR
描述 IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1.125Tb (144G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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內存大小

128Mb (32M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

9Mb (128K x 72)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (256 x 8 x 2)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

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內存格式

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內存大小

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寫周期-字,頁

50µs, 3ms

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