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MT29E3T08EUHBBM4-3:B

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

僅供參考

型號 MT29E3T08EUHBBM4-3:B
PNEDA編號 MT29E3T08EUHBBM4-3-B
描述 IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價
1 ---------- $3,292.2186
50 ---------- $3,137.8959
100 ---------- $2,983.5731
200 ---------- $2,829.2504
400 ---------- $2,700.6481
500 ---------- $2,572.0458
庫存 2,411
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29E3T08EUHBBM4-3:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29E3T08EUHBBM4-3:B
類別半導體內存IC內存

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MT29E3T08EUHBBM4-3:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小3Tb (384G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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內存大小

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 105°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

STMicroelectronics

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

500ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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