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MT29F128G08CFABBWP-12:B TR

MT29F128G08CFABBWP-12:B TR

僅供參考

型號 MT29F128G08CFABBWP-12:B TR
PNEDA編號 MT29F128G08CFABBWP-12-B-TR
描述 IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F128G08CFABBWP-12:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F128G08CFABBWP-12:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F128G08CFABBWP-12:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小128Gb (16G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率83MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4Gb (64M x 64)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.14V ~ 1.3V

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