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MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR

MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR

僅供參考

型號 MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR
PNEDA編號 MT29F1G08ABAEAH4-IT-E-TR
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA (9x11)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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制造商

Winbond Electronics

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

44-PLCC (16.6x16.6)

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