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MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR

僅供參考

型號 MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR
PNEDA編號 MT29F1G16ABBEAHC-AIT-E-TR
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA (10.5x13)

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

1.152Mb (32K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

512Gb (64G x 8)

內存接口

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-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

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-

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