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MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR

MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR

僅供參考

型號 MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR
PNEDA編號 MT29F1G16ABBEAMD-IT-E-TR
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 130VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,686
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱130-VFBGA
供應商設備包裝130-VFBGA (8x9)

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

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安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

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