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MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR

MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR

僅供參考

型號 MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR
PNEDA編號 MT29F1T208EGHBBG1-3R-B-TR
描述 IC FLASH 1.125T PARALLEL 333MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價
1 ---------- $868.6061
50 ---------- $827.8902
100 ---------- $787.1743
200 ---------- $746.4583
400 ---------- $712.5284
500 ---------- $678.5985
庫存 3,035
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1.125Tb (144G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱272-VFBGA
供應商設備包裝272-VBGA (14x18)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Mb (256K x 8, 128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ms

訪問時間

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工作溫度

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寫周期-字,頁

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