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MT29F256G08CJABAWP:B TR

MT29F256G08CJABAWP:B TR

僅供參考

型號 MT29F256G08CJABAWP:B TR
PNEDA編號 MT29F256G08CJABAWP-B-TR
描述 IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F256G08CJABAWP:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F256G08CJABAWP:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F256G08CJABAWP:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小256Gb (32G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝48-TSOP

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內存類型

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內存格式

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EEPROM

內存大小

4Kb (256 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

M29F400FB55M3T2 TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)

供應商設備包裝

44-SO

MT40A512M16TB-062E IT:J

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (512M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.6GHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

19ns

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

96-FBGA (7.5x13.5)

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II+

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

86-TSOP II

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