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MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR

MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR

僅供參考

型號 MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR
PNEDA編號 MT29F256G08CMCABJ2-10RZ-A-TR
描述 IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 17 - 四月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小256Gb (32G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝132-TBGA (12x18)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

44-TSOP II

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

57.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

60-FBGA (8x10)

S29GL512T10DHA010

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系列

*

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-FBGA (9x9)

IDT71V3559SA75BQI8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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