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MT29F256G08EBHAFB16A3WC1

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1

僅供參考

型號 MT29F256G08EBHAFB16A3WC1
PNEDA編號 MT29F256G08EBHAFB16A3WC1
描述 TLC 256G DIE 32GX8
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,948
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F256G08EBHAFB16A3WC1
類別半導體內存IC內存

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MT29F256G08EBHAFB16A3WC1規格

制造商Micron Technology Inc.
系列*
內存類型-
內存格式-
技術-
內存大小-
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Mb (16M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SGRAM - GDDR6

內存大小

16Gb (512M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

8GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.31V ~ 1.391V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

2ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

30µs

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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