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MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR

MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR

僅供參考

型號 MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR
PNEDA編號 MT29F2G08ABAGAWP-ITE-G-TR
描述 IC FLASH 2G PARALLEL TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,172
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

2133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

165-FBGA (15x17)

S25FL256SAGMFAG13

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SOIC

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制造商

Adesto Technologies

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 6ms

訪問時間

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電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

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