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MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR

MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR

僅供參考

型號 MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR
PNEDA編號 MT29F4G01ABAFD12-AATES-F-TR
描述 IC FLASH 4G SPI TBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,238
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小4Gb (4G x 1)
內存接口SPI
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-TBGA (6x8)

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時鐘頻率

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電壓-供電

2.35V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-TBGA

供應商設備包裝

24-TFBGA (6x8)

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Renesas Electronics America

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內存大小

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安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

32-SOIC

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

-

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訪問時間

110ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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