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MT29F4G08ABADAWP-AT:D

MT29F4G08ABADAWP-AT:D

僅供參考

型號 MT29F4G08ABADAWP-AT:D
PNEDA編號 MT29F4G08ABADAWP-AT-D
描述 IC FLASH 4G PARALLEL TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F4G08ABADAWP-AT:D資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F4G08ABADAWP-AT:D
類別半導體內存IC內存

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MT29F4G08ABADAWP-AT:D規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

120ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM - EDO

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

30ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

42-SOJ

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

32-SOJ

N25Q032A13EF440E

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (8M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UDFN

供應商設備包裝

8-PDFN (3x3)

MT53E256M64D4NZ-053 WT:B TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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