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MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

僅供參考

型號 MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR
PNEDA編號 MT29F512G08CECBBJ4-37ES-B-TR
描述 IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小512Gb (64G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率267MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱132-VBGA
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

32-SOIC

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

1.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-WDFN (5x6)

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EPROM - OTP

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

32-PDIP

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

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