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MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B

僅供參考

型號 MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
PNEDA編號 MT29F512G08CEHBBJ4-3R-B
描述 IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價
1 ---------- $601.1848
50 ---------- $573.0042
100 ---------- $544.8237
200 ---------- $516.6432
400 ---------- $493.1594
500 ---------- $469.6756
庫存 1,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
類別半導體內存IC內存

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MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小512Gb (64G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

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時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

-

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內存格式

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技術

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內存接口

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時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 4ms

訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

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-40°C ~ 85°C (TA)

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內存類型

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內存接口

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