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MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR

MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR

僅供參考

型號 MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR
PNEDA編號 MT29F512G08CKCCBH7-6R-C-TR
描述 IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,078
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小512Gb (64G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱152-TBGA
供應商設備包裝152-TBGA (14x18)

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Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50ns

訪問時間

50ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

256Mb (64M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

供應商設備包裝

8-MSOP

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-TDFN (2x3)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (16M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

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