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MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR

MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR

僅供參考

型號 MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR
PNEDA編號 MT29F512G08CUCABH3-12ITZ-A-TR
描述 IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小512Gb (64G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率83MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LBGA
供應商設備包裝100-LBGA (12x18)

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

40-TSOP

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

32Kb (2K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1600MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

200-WFBGA

供應商設備包裝

200-WFBGA (11x14.5)

709159L7PF

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

72Kb (8K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

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