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MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

僅供參考

型號 MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR
PNEDA編號 MT29F512G08CUEDBJ6-12IT-D-TR
描述 IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小512Gb (64G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率83MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱132-LBGA
供應商設備包裝132-LBGA (12x18)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

512Gb (64G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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內存接口

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時鐘頻率

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25ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Rohm Semiconductor

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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