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MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR

MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR

僅供參考

型號 MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR
PNEDA編號 MT29F64G08CBEDBJ4-12-D-TR
描述 IC FLASH 64G PARALLEL 83MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小64Gb (8G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率83MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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系列

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

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-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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