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MT29F8G08ABBCAH4-IT:C

MT29F8G08ABBCAH4-IT:C

僅供參考

型號 MT29F8G08ABBCAH4-IT:C
PNEDA編號 MT29F8G08ABBCAH4-IT-C
描述 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 62,459
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F8G08ABBCAH4-IT:C資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F8G08ABBCAH4-IT:C
類別半導體內存IC內存

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MT29F8G08ABBCAH4-IT:C規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小8Gb (1G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA (9x11)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

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Insignis Technology Corporation

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

16Gb (2G x 8)

內存接口

eMMC

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

3.3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

153-FBGA (11.5x13)

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內存類型

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內存格式

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NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.6ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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