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MT29F8G16ADADAH4:D

MT29F8G16ADADAH4:D

僅供參考

型號 MT29F8G16ADADAH4:D
PNEDA編號 MT29F8G16ADADAH4-D
描述 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,194
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F8G16ADADAH4:D資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F8G16ADADAH4:D
類別半導體內存IC內存

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MT29F8G16ADADAH4:D規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小8Gb (512M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA (9x11)

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時鐘頻率

-

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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系列

GL-P

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-FBGA (11x13)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

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訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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