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MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U

MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U

僅供參考

型號 MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U
PNEDA編號 MT29RZ4B4DZZHGPL-18-W-80U
描述 IC FLASH 8G DDR
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U
類別半導體內存IC內存

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MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U規格

制造商Micron Technology Inc.
系列*
內存類型-
內存格式-
技術-
內存大小-
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

內存大小

4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI - Dual I/O

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

55µs, 6ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

3Mb (128K x 24)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

8ns

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.63V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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Surface Mount

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