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MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR

MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR

僅供參考

型號 MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR
PNEDA編號 MT29RZ4C8DZZMHAN-18W-80Y-TR
描述 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR
類別半導體內存IC內存

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MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH, RAM
技術FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
內存大小4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.8V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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45ns

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

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訪問時間

55ns

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