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MT35XL02GCBA3G12-0SIT TR

MT35XL02GCBA3G12-0SIT TR

僅供參考

型號 MT35XL02GCBA3G12-0SIT TR
PNEDA編號 MT35XL02GCBA3G12-0SIT-TR
描述 SERIAL NOR SLC 256MX8 TBGA DDP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT35XL02GCBA3G12-0SIT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT35XL02GCBA3G12-0SIT TR
類別半導體內存IC內存

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MT35XL02GCBA3G12-0SIT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列Xccela™ - MT35X
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Xccela Bus
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-TPBGA

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

105ns

訪問時間

105ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

56-TSOP

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (256 x 8 x 2)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II+

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

500MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP I

IS62WV12816DBLL-45BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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