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MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

僅供參考

型號 MT3S20TU(TE85L)
PNEDA編號 MT3S20TU-TE85L
描述 RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT3S20TU(TE85L)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT3S20TU(TE85L)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MT3S20TU(TE85L)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.45dB @ 20mA, 5V
增益12dB
功率-最大900mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)80mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝UFM

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系列

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143B

SD1332-05C

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2.5dB @ 1GHz

增益

17dB

功率-最大

180W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 14mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

工作溫度

200°C

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

200W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

11GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.15dB @ 1GHz

增益

13.5dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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