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MT40A2G4SA-062E:J TR

MT40A2G4SA-062E:J TR

僅供參考

型號 MT40A2G4SA-062E:J TR
PNEDA編號 MT40A2G4SA-062E-J-TR
描述 IC SDRAM DDR4 2G4 PAR
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,920
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT40A2G4SA-062E:J TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT40A2G4SA-062E:J TR
類別半導體內存IC內存

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MT40A2G4SA-062E:J TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR4
內存大小8Gb (2G x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.6GHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間19ns
電壓-供電1.14V ~ 1.26V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (7.5x11)

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR2

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-TFBGA

供應商設備包裝

84-TWBGA (8x12.5)

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*

內存類型

-

內存格式

-

技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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制造商

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

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